經過近一百年的發展，人們通過動力學、熱力學、電化學等各方面的理論，解釋應力腐蝕發生原因，由于應力腐蝕的復雜性，有關應力腐蝕的機理迄今沒有統一的認識。總結眾人研究成果，截至目前所提出的機理中可以分成兩大類：一是陽極溶解機理；二是氫致開裂（hydrogen induced cracking,HIC)。陽極溶解機理認為：應力腐蝕裂紋尖端處于陽極，陽極金屬溶解使裂紋不斷擴展。氫致開裂機理則認為：裂紋尖端處于陰極區，陰極反應使裂紋尖端的金屬快速溶解。

一、陽極溶解

陽極溶解機理包括滑移溶解理論、活性通道理論、應力吸附斷裂理論、位錯運動致裂理論等。

1. 滑移溶解理論

  滑移溶解理論是目前眾多應力腐蝕機理中認可度較高的理論，該理論認為：金屬表面鈍化膜破裂的主要原因是由位錯滑移引起的，過程如下：

  位錯滑移→鈍化膜破裂→基體金屬溶解→新的鈍化膜形成以上過程反復進行，導致應力腐蝕裂紋萌生和擴展，示意圖如圖5-4所示。

  該理論可以很好地解釋穿晶裂紋，但是不能解釋裂紋形核的不連續性、無鈍化膜的應力腐蝕、解理斷口。

2. 活性通道理論

  活性通道理論是由 EDix、Mears等人提出的，其觀點是：金屬內部由于各種原因形成一條耐腐蝕性較弱的“活性通道”，裂紋沿通道擴展。

3. 位錯運動致裂理論

  該理論的主要觀點是：位錯滑移引起氮、碳、氫等在缺陷處偏聚，位錯處成分偏析為應力腐蝕提供了條件。

4. 應力吸附斷裂理論

  該理論最早由H.H.Uhlig等人提出。他們認為：一些特殊離子會吸附在裂紋尖端，造成金屬表面能降低，形成應力腐蝕擴展路線。

二、氫致開裂理論

  氫致開裂理論認為：應力腐蝕的陰極反應為析氫反應，析出的H原子一部分進入金屬內部，造成應力腐蝕，其示意圖如圖5-5所示。H原子結合成H₂,使內部壓力增大，造成裂紋產生，此理論稱為氫內壓理論。有些研究人員認為，位錯使氫富集，引起局部塑性變形，形成了位錯輸送理論。還有人認為，氫吸附在金屬表面，降低了表面能，引起開裂。